又一巨星陨落！

陈星弼——中国功率器件领域的璀璨明星

2019年12月4日，中国功率器件领域的巨星陈星弼院士在四川成都安详逝世，享年89岁。这位出生于上海的杰出科学家，一生致力于功率器件的研究，为中国乃至全球的电子科技做出了卓越贡献。

陈星弼院士于1931年出生，1952年从国立同济大学电机系毕业。他的职业生涯中，先后在厦门大学、南京工学院及中国科学院物理研究所工作，最终落脚于电子科技大学，自1999年起担任中国科学院院士。

陈星弼院士的成就不仅仅在学术界，他的贡献更是实践中的瑰宝。作为国际半导体界著名的超结结构（Super Junction）的发明人，他的这一发明被誉为“功率器件的新里程碑”。这种超结结构具有导通电阻低、易驱动、速度快等优点，被广泛应用于现代电子设备中。

陈星弼院士的技术成果不仅获得了美国和中国发明专利，而且自1998年以来，已有8家国外公司在制造中应用此技术。经过工艺改进，该技术的成本大大降低，科技成果转化市场规模超过10亿美元，成为了一种重要产品。

在功率半导体领域的顶级学术年会上，陈星弼院士于2018年入选ISPSD首届名人堂，成为国内首位获此殊荣的华人科学家。这一荣誉更加彰显了他在功率器件领域的卓越地位和贡献。

陈星弼院士的离世，无疑是中国功率器件领域的一大损失。他的精神和成就将永远铭刻在人们的心中。他的贡献不仅仅改变了功率器件的技术面貌，也激发了一代又一代科技工作者为祖国的科技事业奋斗的热情。我们将永远怀念这位“中国功率器件领路人”。在20世纪90年代初，陈星弼的名字在行业内引起了巨大的震动。当时，业内专家纷纷认为陈星弼的几项重要发明预示着第二次电子革命的来临，这一创新成果在随后的十年内，似乎无人能及。陈星弼教授的创新成果不仅在国内外获得了高度评价，更被誉为电子学科领域的巨匠。

国外专家对陈星弼的评价极高，认为他是电子领域的宝贵财富，甚至被誉为中国的现代英雄。这位伟大的教授，他的贡献不仅在国内产生了深远的影响，更在全球范围内产生了重要的影响。他的发明和专利在半导体技术方面引发了一场革命，标志着功率半导体技术的新时代已经到来。

陈星弼教授的每一项发明都是电子领域的重大突破，这些发明对整个半导体行业产生了革命性的影响。他所创造的新的科技理念和新的技术路径，打破了原有的技术瓶颈，推动了整个行业的发展。他的贡献不仅在当时引起了巨大的反响，而且对未来电子科技的发展也产生了深远的影响。

随着时间的推移，陈星弼教授已经离开了我们，但他的精神和贡献依然留存下来。他的发明和理论仍然是现代电子科技发展的基础，他的名字依然在全球范围内被广泛提及和敬仰。他的一生是对科技的不断追求和对知识的深度挖掘，他的一生是对人类科技进步的巨大贡献。他的离去让我们感到惋惜，但他的精神和贡献将永远激励着我们前行。